国家科学中心助理研究员张川晖赴新加坡参加2016电子材料国际会议

国家科学中心助理研究员张川晖应邀于7月3日-8日赴新加坡参加2016电子材料国际会议（International Conference on Electronic Materials, ICEM2016）。本届会议由亚洲材料联合会举办、新加坡材联和新加坡理工大学承办，Feng Yuan-Ping 教授担任大会主席兼N会场（Materials by Theoretical/Computational Design）主席。

张川晖在N会场做了题目为“ First-principles modeling of layer-defect of Al2O3 surface eroded by H2O and Cl- ”的口头报告。报告介绍了层缺陷型氧化铝薄膜在含有氯离子的水溶液环境中吸附型腐蚀过程的原子级模拟。主要从三种典型的层缺陷氧化铝膜的构建出发，分别讨论水溶液和含氯离子的溶液环境对膜表面结构和电子组态的影响，分析表面反应产物、吸附强度、电子轨道相互作用等方面与表面电化学位的关系，预测了膜表面腐蚀的微观机理。与会同行们对层缺陷的提出以及氧化膜由于吸附作用导致腐蚀的微观机理非常感兴趣，并与其进行细致的讨论，提出很多宝贵的意见。

本次出访与国际同行进行深入的学术交流和专业学习，获知国际上本领域的最新研究进展，对比了解国际先进国家在材料计算模拟领域的实力，为未来国家科学中心立足于材料模拟计算的前沿领域打好坚实的基础。

（责编：郭恩博）