2017年12月13日上午，材料青年科学家论坛第二十九讲在建龙报告厅成功举办。北京理工大学邹炳锁做客本场论坛，并作题为《稀磁半导体微纳结构的纳米光子学行为》的报告。出席本次论坛嘉宾有材料学院副院长刘雪峰、教授夏志国等，刘雪峰向主讲人赠送了材料青年科学家论坛纪念牌。论坛由刘泉林主持。
稀磁半导体的磁性研究一直是该领域研究的核心内容，但其光学性质研究还不是很深入。邹炳锁首先讲述了自旋电子学的大致内容，引出磁性激化子；接着汇报了他们课题组的研究：用CVD法制备过渡金属离子Mn和Co掺杂的ZnO，CdS，ZnSe三种稀磁半导体，通过微区光谱手段研究了稀磁半导体微纳结构，用微区发光光谱和微区拉曼光谱很好地验证了掺杂过渡金属离子间的相互作用和离子与晶格的相互作用，并反映其中铁磁性的来源。最后，通过微区光谱发现激子和铁磁性来源间的耦合态——MP和BMP，它们的磁性依赖和浓度依赖的发光行为为稀磁半导体未来的光学应用开辟了新思路。
邹炳锁的报告引起了在场听众广泛的反响，在讲座问答交流环节，在场师生提出了“带隙对发光效率有什么影响”、“Mn掺杂引起的发光行为是如何成为研究的热点”等问题，对于大家的提问，他一一悉心解答，赢得了在场观众的阵阵掌声。
报告人简介：
邹炳锁，男，1965年1月出生，博士，教授，博士生导师。
研究领域：纳米光子材料与器件，纳米光子学理论与模拟、纳米物理与纳米化学，半导体微纳结构激子动态学与相关量子态；非线性光学；量子点LED、光电探测器、太阳能电池，微纳加工与器件。现北京理工大学纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室主任，北京理工大学物理学院教授，2006年受聘“长江学者奖励计划”特聘教授。
现发表SCI论文350余篇，其中第一作者或通信作者论文超过150篇。截止到2017年6月24日，所有论文被SCI论文他引超10000次（web of science）, 12000次(google scholar，包含非SCI他引)，H-index超过50。2010曾获得湖南省自然科学一等奖。2015，2016，2017三度被Elsvier国际出版集团公布为中国“高被引学者”榜单。
（责编：马梅）
