后摩尔时代芯片关键新材料与器件教育部重点实验室建设项目通过验收

单位(作者):前沿交叉科学技术研究院时间:2025-12-05

北科大新闻网12月5日电(通讯员 袁玥)11月29日,教育部科学技术与信息化司组织专家组对我校后摩尔时代芯片关键新材料与器件教育部重点实验室(以下简称“实验室”)建设项目进行了验收。中国科学院院士、新金属材料全国重点实验室主任、前沿交叉科学技术研究院院长张跃,中国科学院院士、学校副校长吕昭平,实验室主任廖庆亮,副主任张铮、康卓以及实验室各研究方向骨干参加会议。

吕昭平讲话

吕昭平代表学校对各位专家的到来表示热烈欢迎和衷心感谢。他指出,实验室是学校落实习近平总书记重要回信精神的重大举措之一。实验室从2023年3月立项至今,取得了显著建设成效。实验室的高水平建设有力撬动了学校学科专业布局优化,有效赋能了学校人才培养范式升级,有机贯通了基础研究与科技成果转化循环。他表示,希望专家组为实验室的建设和发展提出宝贵意见,学校和实验室将全力配合专家组工作,更好地落实各项建设任务。

会议现场

实验室验收专家组由中国工程院院士、清华大学周济教授担任组长,成员包括中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰研究员、华中科技大学翟天佑教授、北京大学张艳锋教授、中国人民大学季威教授、南京大学高力波教授、北京理工大学周家东教授。周济主持正式验收环节。廖庆亮系统汇报了实验室建设情况,涵盖建设思路、研究进展、人才培养、平台建设、组织管理与未来规划等内容。实验室骨干张先坤、赵璇、姚海龙分别作学术报告。专家组认真听取报告,现场审阅了相关验收材料,并实地考察了实验室建设情况。

现场考察

通过质询、交流与讨论,专家组对实验室建设成效予以充分肯定,认为其定位清晰、目标明确、进展显著,在后摩尔时代变革性芯片关键新材料与器件方面取得了系统性原创成果,已全面完成建设项目计划任务书规定的各项任务,达到了预期目标,同意通过验收。

与会专家合影

未来,实验室将继续紧密围绕国家重大战略需求,通过芯片关键新材料与器件设计构建技术创新,提升我国集成电路先进制造能力,实现前瞻性基础研究、引领性原创成果重大突破,破局芯片长期受制于人困境,建设后摩尔时代芯片材料与器件领域国家战略科技力量。

(摄影:前沿交叉科学技术研究院)

(责编:姜智颖、林冠群)

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